内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的 SPD 中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：
CAS Latency（简称 CL 值）内存 CAS 延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把 CL 值印在内存条的标签上;
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;
RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;
Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。